RH6P040BHTB1 与 BSZ340N08NS3 G 区别
| 型号 | RH6P040BHTB1 | BSZ340N08NS3 G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RH6P040BHTB1 | A-BSZ340N08NS3 G | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.6mΩ@40A,10V | 34mΩ@12A,10V | ||||
| 上升时间 | - | 3ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 80V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | 32W | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 9.1nC | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 8S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 11ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 | ||||
| 连续漏极电流Id | 40A | 23A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||
| 长度 | - | 3.3mm | ||||
| 下降时间 | - | 2ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 8ns | ||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥10.1103
|
100 | 当前型号 | ||||||
|
BSZ440N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100V 18A 44mΩ@12A,10V ±20V 29W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||
|
BSZ146N10LS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 20.8mΩ N-Channel 1.1V,2.3V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
ISZ230N10NM6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8 FL |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
BSZ160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
BSZ340N08NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 23A 34mΩ@12A,10V 20V 32W -55°C~150°C PG-TSDSON-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
